RFD3055LE

Teknik Özellikler

Ambalaj

Tube

Fall Time Typ

39 ns

Genişlik

2.5mm

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Montaj

Through Hole

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Akım Değeri

11A

Radyasyon Dayanımı

No

Rise Time

105ns

Terminal Sayısı

3

Recovery Time

66 ns

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Threshold Voltage

3V

Continuous Drain Current Id

11A

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

yes

Input Capacitance Ciss Max Vds

350pF @ 25V

Kurşunsuz

Lead Free

Turn Off Delay Time

22 ns

Voltage Rated Dc

60V

Fet Type

N-Channel

Reach Svhc

No SVHC

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2002

Case Connection

DRAIN

JESD-609 Kodu

e3

Gate To Source Voltage Vgs

16V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

6.8mm

Direnç

107mOhm

Current Continuous Drain Id25

11A Tc

Contact Plating

Tin

Gate Charge Qg Max Vgs

11.3nC @ 10V

Rds On Max Id Vgs

107m Ω @ 8A, 5V

Nominal Vgs

3 V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V

Yükseklik

6.3mm