NVTFS6H850NTAG

Teknik Özellikler

Drainsource On Resistancemax

0.0095Ohm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ds Breakdown Voltagemin

80V

Drain Currentmax Abs Id

11A

Drain To Source Voltage Vdss

80V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)

Avalanche Energy Rating Eas

271 mJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fet Type

N-Channel

Vgsth Max Id

4V @ 70μA

Input Capacitance Ciss Max Vds

1140pF @ 40V

Pulsed Drain Currentmax Idm

300A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

2012

Rds On Max Id Vgs

9.5m Ω @ 10A, 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Case Connection

DRAIN

Yüzey Montaj

YES

Current Continuous Drain Id25

11A Ta 68A Tc

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Jesd30 Code

S-PDSO-F5

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Power Dissipation Max

3.2W Ta 107W Tc

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Vgs Max

±20V

Kılıf / Paket

8-PowerWDFN

Seri

Automotive, AEC-Q101

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

5

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)