NVTFS5820NLWFTWG

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

DUAL

Vgsth Max Id

2.3V @ 250μA

Fet Type

N-Channel

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn Off Delay Time

19 ns

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fall Time Typ

22 ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Channels

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Lifecycle Status

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

8

Turn On Delay Time

10 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Kılıf / Paket

8-PowerWDFN

Power Dissipation Max

3.2W Ta 21W Tc

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e3

Vgs Max

±20V

Halogen Free

Halogen Free

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

28nC @ 10V

Terminal Formu

FLAT

Rise Time

28ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

5

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

Continuous Drain Current Id

29A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2011

Rds On Max Id Vgs

11.5m Ω @ 8.7A, 10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

247A