NVR1P02T1G

Teknik Özellikler

Fet Type

P-Channel

Vgs Max

±20V

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Current Continuous Drain Id25

1A Ta

Pin Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

2.5nC @ 5V

Pin Sayısı

3

Yükseklik

1.01mm

Vgsth Max Id

2.3V @ 250μA

Rise Time

9ns

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2012

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation Max

400mW Ta

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Turn Off Delay Time

9 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)

Kurşunsuz

Lead Free

Turn On Delay Time

7 ns

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

3 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

1.4mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Pozisyonu

DUAL

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Surface Mount

Input Capacitance Ciss Max Vds

165pF @ 5V

Number Of Elements

1

Gate To Source Voltage Vgs

20V