NVD6824NLT4G

Teknik Özellikler

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Gate Charge Qg Max Vgs

66nC @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

3468pF @ 25V

Turn On Delay Time

15 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Vgs Max

±20V

Kurşunsuz Kodu

yes

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Rds On Max Id Vgs

20m Ω @ 20A, 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

55ns

Avalanche Energy Rating Eas

80 mJ

Fall Time Typ

42 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Uzunluk

6.73mm

Continuous Drain Current Id

8.5A

Max Junction Temperature Tj

175°C

Power Dissipation

3.9W

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2013

Pin Sayısı

3

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Yüzey Montaj

YES

Terminal Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Genişlik

6.22mm

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

3

Current Continuous Drain Id25

8.5A Ta 41A Tc

Power Dissipation Max

3.9W Ta 90W Tc

Number Of Channels

1

Lifecycle Status

LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)