NVD6415ANLT4G

Teknik Özellikler

Turn On Delay Time

11 ns

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

1024pF @ 25V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2012

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

83W

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

20nC @ 4.5V

Power Dissipation Max

83W Tc

Drainsource On Resistancemax

0.056Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

3/2

Current Continuous Drain Id25

23A Tc

Terminal Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Pulsed Drain Currentmax Idm

80A

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Vgs Max

±20V

Turn Off Delay Time

40 ns

Case Connection

DRAIN

Continuous Drain Current Id

23A

Element Configuration

Single

Avalanche Energy Rating Eas

79 mJ

Terminal Formu

GULL WING

Fall Time Typ

71 ns