NVD5890NLT4G

Teknik Özellikler

Genişlik

6.22mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

24A Ta 123A Tc

Pin Sayısı

3

Power Dissipation Max

4W Ta 107W Tc

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Power Dissipation

4W

Yayın Yılı

2012

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Pin Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

20V

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Yükseklik

2.38mm

Element Configuration

Single

Case Connection

DRAIN

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Lifecycle Status

LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)

Turn Off Delay Time

38 ns

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Drainsource On Resistancemax

0.0055Ohm

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Gate Charge Qg Max Vgs

42nC @ 4.5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Fet Type

N-Channel

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Input Capacitance Ciss Max Vds

4760pF @ 25V

Turn On Delay Time

12 ns