NVD5863NLT4G

Teknik Özellikler

Ds Breakdown Voltagemin

60V

Fabrika Tedarik Süresi

27 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

3850pF @ 25V

Turn On Delay Time

12.8 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

70nC @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

6.73mm

Continuous Drain Current Id

82A

Rds On Max Id Vgs

7.1m Ω @ 41A, 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

24.4ns

Avalanche Energy Rating Eas

320 mJ

Fall Time Typ

55 ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Vgs Max

±20V

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

4

Current Continuous Drain Id25

14.9A Ta 82A Tc

Power Dissipation Max

3.1W Ta 96W Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

2

Genişlik

6.22mm

Pin Sayısı

4

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Yüzey Montaj

YES

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Power Dissipation

3.1W

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2011

Yükseklik

2.38mm

Element Configuration

Single

Case Connection

DRAIN