NVD5803NT4G

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

51nC @ 10V

Fet Type

N-Channel

Power Dissipation

83W

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2010

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

3220pF @ 25V

Pin Sayısı

4

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Turn On Delay Time

12.6 ns

Terminal Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

85A Tc

Pin Sayısı

4

Drainsource On Resistancemax

0.0057Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation Max

83W Tc

Turn Off Delay Time

28.3 ns

Vgs Max

±20V

Vgsth Max Id

3.5V @ 250μA

Lifecycle Status

LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)

Radyasyon Dayanımı

No

Pulsed Drain Currentmax Idm

228A

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Rise Time

21.4ns

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Rds On Max Id Vgs

5.7m Ω @ 50A, 10V