NTTS2P03R2G

Teknik Özellikler

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kılıf / Paket

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

Continuous Drain Current Id

2.48A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

780mW

Rise Time

20ns

Akım Değeri

-2.48A

Yayın Yılı

2001

Drain To Source Breakdown Voltage

-30V

Fall Time Typ

20 ns

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Pin Sayısı

8

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Turn Off Delay Time

40 ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

500pF @ 24V

Pin Sayısı

8

Terminal Pozisyonu

DUAL

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Kurşunsuz

Lead Free

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Formu

GULL WING

Gate Charge Qg Max Vgs

22nC @ 4.5V

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

JESD-609 Kodu

e3

Fet Type

P-Channel

ECCN Kodu

EAR99

Threshold Voltage

-1.7V

Voltage Rated Dc

-30V

Montaj

Surface Mount

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Terminal Sayısı

8

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Qualification Status

Not Qualified

Reach Svhc

No SVHC