NTTFS4C13NTWG

Teknik Özellikler

Fet Type

N-Channel

Jesd30 Code

S-PDSO-F5

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Continuous Drain Current Id

7.2A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Kılıf / Paket

8-PowerWDFN

Drainsource On Resistancemax

0.0094Ohm

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

8

Parça Durumu

Active

Element Configuration

Single

Gate Charge Qg Max Vgs

7.8nC @ 4.5V

Vgsth Max Id

2.1V @ 250μA

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Pin Sayısı

8

Terminal Formu

FLAT

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Case Connection

DRAIN

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Number Of Elements

1

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Halogen Free

Halogen Free

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Power Dissipation Max

780mW Ta 21.5W Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance Ciss Max Vds

770pF @ 15V

Rds On Max Id Vgs

9.4m Ω @ 30A, 10V

Terminal Sayısı

5

Terminal Pozisyonu

DUAL

Current Continuous Drain Id25

7.2A Ta

Transistor Element Material

SILICON