NTTFS4C06NTWG

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2014

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yüzey Montaj

YES

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

5

Rds On Max Id Vgs

4.2m Ω @ 30A, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

3366pF @ 15V

Current Continuous Drain Id25

11A Ta 67A Tc

Power Dissipation Max

810mW Ta 31W Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Surface Mount

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

Halogen Free

Halogen Free

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drain Currentmax Abs Id

67A

Case Connection

DRAIN

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Number Of Elements

1

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Formu

FLAT

JESD-609 Kodu

e3

Vgsth Max Id

2.2V @ 250μA

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

36nC @ 10V

Kılıf / Paket

8-PowerWDFN

Element Configuration

Single

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

18A