NTTFS4985NFTWG

Teknik Özellikler

Pulsed Drain Currentmax Idm

192A

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Gate Charge Qg Max Vgs

29.4nC @ 10V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Pin Sayısı

8

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Active

Kılıf / Paket

8-PowerWDFN

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Drainsource On Resistancemax

0.0052Ohm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Continuous Drain Current Id

64A

Avalanche Energy Rating Eas

52 mJ

Fet Type

N-Channel

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Case Connection

DRAIN

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

FLAT

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Vgsth Max Id

2.3V @ 250μA

Pin Sayısı

8

Kurşunsuz

Lead Free

Drain Currentmax Abs Id

16.3A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2012

Yüzey Montaj

YES

Input Capacitance Ciss Max Vds

2075pF @ 15V

Rds On Max Id Vgs

3.5m Ω @ 20A, 10V

Terminal Sayısı

5

Terminal Pozisyonu

DUAL

Current Continuous Drain Id25

16.3A Ta 64A Tc