NTR1P02T1G

Teknik Özellikler

Continuous Drain Current Id

1A

Vgs Max

±20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Terminal Pozisyonu

DUAL

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Turn On Delay Time

7 ns

Voltage Rated Dc

-20V

Contact Plating

Tin

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Drain Currentmax Abs Id

1A

Yüzey Montaj

YES

Power Dissipation Max

400mW Ta

Montaj Tipi

Surface Mount

Uzunluk

2.9mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max Id Vgs

180m Ω @ 1.5A, 10V

Number Of Elements

1

Vgsth Max Id

2.3V @ 250μA

Radyasyon Dayanımı

No

Input Capacitance Ciss Max Vds

165pF @ 5V

Transistor Element Material

SILICON

Rise Time

9ns

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2005

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Pin Sayısı

3

Ambalaj

Cut Tape (CT)

JESD-609 Kodu

e3

Threshold Voltage

-1.9V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Genişlik

1.3mm

Akım Değeri

-1A

Nominal Vgs

-1.9 V

Terminal Sayısı

3