NTR1P02LT1G

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Element Configuration

Single

Yüzey Montaj

YES

Power Dissipation Max

400mW Ta

Montaj Tipi

Surface Mount

Uzunluk

2.9mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max Id Vgs

220m Ω @ 750mA, 4.5V

Input Capacitance Ciss Max Vds

225pF @ 5V

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Vgsth Max Id

1.25V @ 250μA

Radyasyon Dayanımı

No

Continuous Drain Current Id

1.3A

Vgs Max

±12V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Turn On Delay Time

7 ns

Voltage Rated Dc

-20V

Reach Svhc

No SVHC

Terminal Pozisyonu

DUAL

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3

Contact Plating

Tin

Gate Charge Qg Max Vgs

5.5nC @ 4V

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Terminal Formu

GULL WING

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation

400mW

Direnç

220MOhm

Current Continuous Drain Id25

1.3A Ta

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fall Time Typ

15 ns

Yükseklik

940μm

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Turn Off Delay Time

18 ns

Parça Durumu

Active