NTP6411ANG

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

3700pF @ 25V

Case Connection

DRAIN

Weight

4.535924g

Rds On Max Id Vgs

14m Ω @ 72A, 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

10.28mm

Montaj Tipi

Through Hole

Drain Currentmax Abs Id

77A

Power Dissipation Max

217W Tc

Yüzey Montaj

NO

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Reach Svhc

No SVHC

Turn On Delay Time

16 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Vgs Max

±20V

Continuous Drain Current Id

72A

Turn Off Delay Time

107 ns

Yükseklik

15.75mm

Parça Durumu

Obsolete

Avalanche Energy Rating Eas

470 mJ

Fall Time Typ

157 ns

Current Continuous Drain Id25

77A Tc

Direnç

14MOhm

Power Dissipation

217W

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

TO-220-3

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Gate Charge Qg Max Vgs

100nC @ 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fet Type

N-Channel

Jedec95 Code

TO-220AB

Nominal Vgs

4 V

Terminal Sayısı

3