NTP6410ANG

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Radyasyon Dayanımı

No

Number Of Elements

1

Input Capacitance Ciss Max Vds

4500pF @ 25V

Transistor Element Material

SILICON

Weight

4.535924g

Case Connection

DRAIN

Rds On Max Id Vgs

13m Ω @ 76A, 10V

Montaj Tipi

Through Hole

Uzunluk

10.28mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

188W Tc

Yüzey Montaj

NO

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Reach Svhc

No SVHC

Turn On Delay Time

17 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Continuous Drain Current Id

76A

Vgs Max

±20V

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Turn Off Delay Time

120 ns

Yükseklik

4.82mm

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

190 ns

Avalanche Energy Rating Eas

500 mJ

Current Continuous Drain Id25

76A Tc

Power Dissipation

188W

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

TO-220-3

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Gate Charge Qg Max Vgs

120nC @ 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fet Type

N-Channel

Jedec95 Code

TO-220AB

Nominal Vgs

4 V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)