NTMS4916NR2G

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Input Capacitance Ciss Max Vds

1376pF @ 25V

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

5mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

9m Ω @ 12A, 10V

Drain Currentmax Abs Id

9.4A

Yüzey Montaj

YES

Power Dissipation Max

890mW Ta

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Contact Plating

Tin

Pin Sayısı

8

Drainsource On Resistancemax

0.009Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Pozisyonu

DUAL

Turn On Delay Time

9.4 ns

Vgs Max

±20V

Continuous Drain Current Id

11.6A

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fall Time Typ

15.6 ns

Parça Durumu

Active

Yükseklik

1.5mm

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Turn Off Delay Time

32 ns

Current Continuous Drain Id25

7.8A Ta

Power Dissipation

1.3W

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Formu

GULL WING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Gate Charge Qg Max Vgs

15nC @ 4.5V

Fet Type

N-Channel

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Sayısı

8

JESD-609 Kodu

e3