NTMFS5832NLT1G

Teknik Özellikler

Element Configuration

Single

Yüzey Montaj

YES

Vgs Max

±20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yükseklik

1.1mm

Rds On Max Id Vgs

4.2m Ω @ 20A, 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Uzunluk

5.1mm

Direnç

6.5MOhm

Current Continuous Drain Id25

20A Ta 111A Tc

Contact Plating

Tin

Gate Charge Qg Max Vgs

51nC @ 10V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

3.1W Ta 96W Tc

Turn On Delay Time

13 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipation

3.1W

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN, 5 Leads

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Terminal Sayısı

5

Rise Time

24ns

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

5

Terminal Formu

FLAT

Pulsed Drain Currentmax Idm

443A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fall Time Typ

8 ns

Genişlik

6.1mm

Reach Svhc

No SVHC

Terminal Pozisyonu

DUAL

Pin Sayısı

5

Yayın Yılı

2006