NTMFS4936NCT1G

Teknik Özellikler

Power Dissipation Max

920mW Ta 43W Tc

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

5

Yayın Yılı

2012

Drain Currentmax Abs Id

11.6A

Terminal Pozisyonu

DUAL

Turn Off Delay Time

29 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Turn On Delay Time

10.4 ns

Avalanche Energy Rating Eas

96.8 mJ

Fet Type

N-Channel

Input Capacitance Ciss Max Vds

3044pF @ 15V

Power Dissipation

2.62W

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN, 5 Leads

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Continuous Drain Current Id

19.5A

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

5

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

38 Weeks

Vgs Max

±20V

Yüzey Montaj

YES

Element Configuration

Single

Gate Charge Qg Max Vgs

43nC @ 10V

Pin Sayısı

8

Current Continuous Drain Id25

11.6A Ta 79A Tc

Radyasyon Dayanımı

No

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Rise Time

19ns

Rds On Max Id Vgs

3.8m Ω @ 30A, 10V

Vgsth Max Id

2.2V @ 250μA

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Drainsource On Resistancemax

0.0048Ohm

Gate To Source Voltage Vgs

20V