NTHD4P02FT1G

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Terminal Sayısı

8

Montaj Tipi

Surface Mount

Gate Charge Qg Max Vgs

6nC @ 4.5V

Turn On Delay Time

7 ns

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Rise Time

13ns

Fet Feature

Schottky Diode (Isolated)

Voltage Rated Dc

-20V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Vgsth Max Id

1.2V @ 250μA

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

2.5V 4.5V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

8

Kurşunsuz Kodu

yes

Kurşunsuz

Lead Free

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Pin Sayısı

8

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Rds On Max Id Vgs

155m Ω @ 2.2A, 4.5V

Power Dissipation

1.1W

Vgs Max

±12V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

9A

Terminal Formu

C BEND

Yayın Yılı

2004

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Radyasyon Dayanımı

No

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

2.2A Tj

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation Max

1.1W Tj