NTHD3101FT1G

Teknik Özellikler

Weight

4.535924g

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Nominal Vgs

-450 mV

JESD-609 Kodu

e3

Input Capacitance Ciss Max Vds

680pF @ 10V

Turn Off Delay Time

16 ns

Akım Değeri

-3.2A

Fet Type

P-Channel

Continuous Drain Current Id

4.4A

ECCN Kodu

EAR99

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Fall Time Typ

12.4 ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

1.05mm

Current Continuous Drain Id25

3.2A Tj

Yüzey Montaj

YES

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation Max

1.1W Ta

Direnç

64MOhm

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Threshold Voltage

-1.5V

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2006

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Formu

C BEND

Radyasyon Dayanımı

No

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

1.65mm

Rds On Max Id Vgs

80m Ω @ 3.2A, 4.5V

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Vgs Max

±8V

Power Dissipation

1.1W

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

8

Kurşunsuz Kodu

yes

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Kurşunsuz

Lead Free