NTF6P02T3G

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

4

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Turn On Delay Time

7 ns

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

Gate Charge Qg Max Vgs

20nC @ 4.5V

Rise Time

25ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Uzunluk

6.7mm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

2.5V 4.5V

Voltage Rated Dc

-20V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Kurşunsuz Kodu

yes

Dual Supply Voltage

-20V

Pin Sayısı

4

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Pin Sayısı

4

Kurşunsuz

Lead Free

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Rds On Max Id Vgs

50m Ω @ 6A, 4.5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Power Dissipation

8.3W

Vgs Max

±8V

Terminal Formu

GULL WING

Pulsed Drain Currentmax Idm

35A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2007

Transistor Element Material

SILICON

Threshold Voltage

-700mV

Genişlik

3.7mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)