NTD5867NL-1G

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

3

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Turn Off Timemax Toff

20.6ns

Turn On Delay Time

6.5 ns

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Through Hole

Gate Charge Qg Max Vgs

15nC @ 10V

Rise Time

12.6ns

Drainsource On Resistancemax

0.05Ohm

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Uzunluk

6.73mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

4

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pin Sayısı

4

Kurşunsuz

Lead Free

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Rds On Max Id Vgs

39m Ω @ 10A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Power Dissipation

36W

Vgs Max

±20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

76A

Yayın Yılı

2010

Transistor Element Material

SILICON

Threshold Voltage

1.8V

Ambalaj

Tube

Genişlik

2.38mm

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yüzey Montaj

NO

Current Continuous Drain Id25

20A Tc

Yükseklik

7.62mm

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Jesd30 Code

R-PSIP-T3

Power Dissipation Max

36W Tc