NTD5865NT4G

Teknik Özellikler

Rise Time

17ns

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Uzunluk

6.73mm

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Terminal Sayısı

2

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Turn On Delay Time

10 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

23nC @ 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Rds On Max Id Vgs

18m Ω @ 20A, 10V

Power Dissipation

52W

Vgs Max

±20V

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

4

Pin Sayısı

4

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Current Continuous Drain Id25

43A Tc

Yükseklik

2.38mm

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Yüzey Montaj

YES

Direnç

18MOhm

Power Dissipation Max

71W Tc

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Yayın Yılı

2007

Avalanche Energy Rating Eas

36 mJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

6.22mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Turn Off Delay Time

20 ns