NTD5802NT4G

Teknik Özellikler

Turn Off Delay Time

39 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

5025pF @ 25V

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Fet Type

N-Channel

Case Connection

DRAIN

Continuous Drain Current Id

16.4A

ECCN Kodu

EAR99

Fall Time Typ

8.5 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

2.38mm

Current Continuous Drain Id25

16.4A Ta 101A Tc

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Power Dissipation Max

2.5W Ta 93.75W Tc

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yayın Yılı

2007

Avalanche Energy Rating Eas

240 mJ

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

6.22mm

Radyasyon Dayanımı

No

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Rds On Max Id Vgs

4.4m Ω @ 50A, 10V

Vgs Max

±20V

Power Dissipation

93.75W

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Drainsource On Resistancemax

0.0078Ohm

Rise Time

52ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)