NTD4970N-35G

Teknik Özellikler

Drain Currentmax Abs Id

8.5A

Continuous Drain Current Id

11.6A

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Fall Time Typ

5.7 ns

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Kurşunsuz

Lead Free

Gate To Source Voltage Vgs

20V

JESD-609 Kodu

e3

Input Capacitance Ciss Max Vds

774pF @ 15V

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Rds On Max Id Vgs

11m Ω @ 30A, 10V

Fet Type

N-Channel

Power Dissipation

2.55W

Vgs Max

±20V

Case Connection

DRAIN

Terminal Sayısı

3

Yayın Yılı

2012

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Element Material

SILICON

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Ambalaj

Bulk

Gate Charge Qg Max Vgs

8.2nC @ 4.5V

Montaj Tipi

Through Hole

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Rise Time

27.6ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Current Continuous Drain Id25

8.5A Ta 36A Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yüzey Montaj

NO

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V