NTD40N03RT4G

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

4

Turn On Delay Time

4.5 ns

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

4

JESD-609 Kodu

e3

Akım Değeri

40A

Element Configuration

Single

Yayın Yılı

2005

Power Dissipation

2.1W

Input Capacitance Ciss Max Vds

584pF @ 20V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Rise Time

19.5ns

Drain To Source Breakdown Voltage

25V

Gate Charge Qg Max Vgs

5.78nC @ 4.5V

Kurşunsuz Kodu

yes

Nominal Vgs

1.7 V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Turn Off Delay Time

16.7 ns

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Voltage Rated Dc

25V

Montaj

Surface Mount

Reach Svhc

Unknown

Fet Type

N-Channel

Case Connection

DRAIN

Radyasyon Dayanımı

No

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Sayısı

2

Fall Time Typ

3.5 ns

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Parça Durumu

Obsolete

Vgs Max

±20V

Rds On Max Id Vgs

16.5m Ω @ 10A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Continuous Drain Id25

7.8A Ta 32A Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation Max

1.5W Ta 50W Tc