NTD2955-1G

Teknik Özellikler

Power Dissipation Max

55W Tj

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Application

SWITCHING

Vgs Max

±20V

Rds On Max Id Vgs

180m Ω @ 6A, 10V

Ambalaj

Tube

Current Continuous Drain Id25

12A Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fall Time Typ

48 ns

Terminal Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Case Connection

DRAIN

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Direnç

155MOhm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yüzey Montaj

NO

Continuous Drain Current Id

12A

Jesd30 Code

R-PSIP-T3

Threshold Voltage

-2.8V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Yayın Yılı

2005

Pulsed Drain Currentmax Idm

36A

Element Configuration

Single

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Turn On Delay Time

10 ns

Genişlik

2.38mm

JESD-609 Kodu

e3

Akım Değeri

-12A

Pin Sayısı

4

Pin Sayısı

4

Reach Svhc

No SVHC

Voltage Rated Dc

-60V

Fet Type

P-Channel