NTD20N06T4G

Teknik Özellikler

Yükseklik

4.83mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Gate Charge Qg Max Vgs

30nC @ 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Uzunluk

10.29mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Rise Time

60.5ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

1015pF @ 25V

Power Dissipation

60W

Fet Type

N-Channel

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Voltage Rated Dc

60V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Turn Off Delay Time

27.1 ns

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Akım Değeri

20A

JESD-609 Kodu

e3

Genişlik

9.65mm

Pin Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Turn On Delay Time

9.5 ns

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2005

Pulsed Drain Currentmax Idm

60A

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Threshold Voltage

2.91V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Yüzey Montaj

YES

Continuous Drain Current Id

20A

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Contact Plating

Tin

Direnç

37.5MOhm

Terminal Formu

GULL WING