NTD18N06T4G

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

Gate Charge Qg Max Vgs

30nC @ 10V

Drainsource On Resistancemax

0.06Ohm

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Rise Time

23ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

710pF @ 25V

Power Dissipation

55W

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Montaj

Surface Mount

Voltage Rated Dc

60V

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Turn Off Delay Time

19 ns

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

JESD-609 Kodu

e3

Akım Değeri

18A

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2006

Pulsed Drain Currentmax Idm

54A

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Continuous Drain Current Id

18A

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Formu

GULL WING

Avalanche Energy Rating Eas

72 mJ

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fall Time Typ

20 ns

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Number Of Elements

1

Case Connection

DRAIN

Kurşunsuz

Lead Free