NTD18N06LT4G

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Turn On Delay Time

9.9 ns

Genişlik

6.22mm

JESD-609 Kodu

e3

Akım Değeri

18A

Pin Sayısı

3

Pulsed Drain Currentmax Idm

54A

Element Configuration

Single

Yayın Yılı

2005

Uzunluk

6.73mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Rise Time

79ns

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Power Dissipation

55W

Input Capacitance Ciss Max Vds

675pF @ 25V

Gate Charge Qg Max Vgs

22nC @ 5V

Yükseklik

2.38mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Turn Off Delay Time

19 ns

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Reach Svhc

No SVHC

Voltage Rated Dc

60V

Fet Type

N-Channel

Number Of Elements

1

Case Connection

DRAIN

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Sayısı

2

Fall Time Typ

38 ns

Parça Durumu

Active

Avalanche Energy Rating Eas

72 mJ

Rds On Max Id Vgs

65m Ω @ 9A, 5V

Vgs Max

±15V