NTD12N10T4G

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Yayın Yılı

2005

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipation Max

1.28W Ta 56.6W Tc

Element Configuration

Single

Current Continuous Drain Id25

12A Ta

Qualification Status

Not Qualified

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

165m Ω @ 6A, 10V

Vgs Max

±20V

Akım Değeri

12A

JESD-609 Kodu

e3

Avalanche Energy Rating Eas

75 mJ

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Case Connection

DRAIN

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Montaj

Surface Mount

Voltage Rated Dc

100V

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Terminal Formu

GULL WING

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Turn Off Delay Time

22 ns

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz Kodu

yes

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Gate Charge Qg Max Vgs

20nC @ 10V