NTB6413ANG

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Avalanche Energy Rating Eas

200 mJ

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Yüzey Montaj

YES

Turn Off Delay Time

52 ns

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Input Capacitance Ciss Max Vds

1800pF @ 25V

Current Continuous Drain Id25

42A Tc

Ambalaj

Tube

Continuous Drain Current Id

42A

Gate Charge Qg Max Vgs

51nC @ 10V

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

136W

Nominal Vgs

4 V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Yayın Yılı

2009

Reach Svhc

No SVHC

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Weight

4.535924g

Vgs Max

±20V

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

GULL WING

Fall Time Typ

71 ns

Pin Sayısı

3

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Rds On Max Id Vgs

28m Ω @ 42A, 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Sayısı

2

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

13 ns

Direnç

28MOhm

Kurşunsuz Kodu

yes

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Genişlik

9.65mm

Element Configuration

Single