NTB60N06T4G

Teknik Özellikler

Power Dissipation

150W

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Yayın Yılı

2005

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Vgs Max

±20V

Akım Değeri

60A

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Continuous Drain Current Id

60A

Gate Charge Qg Max Vgs

81nC @ 10V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

1

Input Capacitance Ciss Max Vds

3220pF @ 25V

Current Continuous Drain Id25

60A Ta

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Avalanche Energy Rating Eas

454 mJ

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Yüzey Montaj

YES

Turn Off Delay Time

94.5 ns

Contact Plating

Tin

Uzunluk

10.29mm

Yükseklik

4.83mm

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation Max

2.4W Ta 150W Tj

Fet Type

N-Channel

Rise Time

180.7ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Genişlik

9.65mm

Element Configuration

Single

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Parça Durumu

Active