NTB5605PT4G

Teknik Özellikler

Power Dissipation

88W

Yayın Yılı

2005

Drain To Source Breakdown Voltage

-60V

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Akım Değeri

-18.5A

Vgs Max

±20V

Reach Svhc

No SVHC

Drain To Source Voltage Vdss

60V

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Gate Charge Qg Max Vgs

22nC @ 5V

Continuous Drain Current Id

18.5A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Input Capacitance Ciss Max Vds

1190pF @ 25V

Current Continuous Drain Id25

18.5A Ta

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Turn Off Delay Time

29 ns

Uzunluk

10.29mm

Yükseklik

4.83mm

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation Max

88W Tc

Fet Type

P-Channel

Rise Time

122ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Genişlik

9.65mm

Element Configuration

Single

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

2