NTB52N10T4G

Teknik Özellikler

Avalanche Energy Rating Eas

800 mJ

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Turn Off Delay Time

74 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Rds On Max Id Vgs

30m Ω @ 26A, 10V

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

Fall Time Typ

100 ns

Pin Sayısı

3

Case Connection

DRAIN

Input Capacitance Ciss Max Vds

3150pF @ 25V

Current Continuous Drain Id25

52A Tc

Kurşunsuz Kodu

yes

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

2

Voltage Rated Dc

100V

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Application

SWITCHING

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Qualification Status

Not Qualified

Parça Durumu

Obsolete

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Element Configuration

Single

Continuous Drain Current Id

52A

Gate Charge Qg Max Vgs

135nC @ 10V

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ECCN Kodu

EAR99

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Vgs Max

±20V

Akım Değeri

52A

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)

Montaj

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount