NDS332P

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rds On Max Id Vgs

300m Ω @ 1.1A, 4.5V

Transistor Application

SWITCHING

Vgs Max

±8V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Genişlik

3.05mm

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Power Dissipation Max

500mW Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Input Capacitance Ciss Max Vds

195pF @ 10V

Current Continuous Drain Id25

1A Ta

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

2.7V 4.5V

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD RATED

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Voltage Rated Dc

-20V

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Yayın Yılı

2017

Akım Değeri

-1A

Yüzey Montaj

YES

JESD-609 Kodu

e3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

P-Channel

Terminal Formu

GULL WING

Gate Charge Qg Max Vgs

5nC @ 4.5V

Power Dissipation

500mW

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Continuous Drain Current Id

1A