NDD60N360U1T4G

Teknik Özellikler

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Vgs Max

±25V

Terminal Sayısı

2

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drain To Source Voltage Vdss

600V

Input Capacitance Ciss Max Vds

790pF @ 50V

Kurşunsuz

Lead Free

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Pulsed Drain Currentmax Idm

44A

Fet Type

N-Channel

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Yüzey Montaj

YES

Turn On Delay Time

10 ns

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation Max

114W Tc

Rise Time

20ns

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Gate Charge Qg Max Vgs

26nC @ 10V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Number Of Elements

1

Current Continuous Drain Id25

11A Tc

Pin Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Element Configuration

Single

Ds Breakdown Voltagemin

600V

Fall Time Typ

22 ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2010

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Turn Off Delay Time

26 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Rds On Max Id Vgs

360m Ω @ 5.5A, 10V

ECCN Kodu

EAR99

Halogen Free

Halogen Free