NDD02N60Z-1G

Teknik Özellikler

Jesd30 Code

R-PSIP-T3

Gate Charge Qg Max Vgs

10.1nC @ 10V

Fabrika Tedarik Süresi

28 Weeks

Rise Time

7ns

Current Continuous Drain Id25

2.2A Tc

Pin Sayısı

4

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

57W Tc

Parça Durumu

Obsolete

Turn On Delay Time

9 ns

Element Configuration

Single

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Fall Time Typ

7 ns

Yükseklik

7.62mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

274pF @ 25V

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Genişlik

2.38mm

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

6.73mm

Vgs Max

±30V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fet Type

N-Channel

Yüzey Montaj

NO

Pulsed Drain Currentmax Idm

9A

Vgsth Max Id

4.5V @ 50μA

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

4

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

Continuous Drain Current Id

2.2A

Power Dissipation

57W

Case Connection

DRAIN

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes