MTD6N20ET4G

Teknik Özellikler

Uzunluk

6.73mm

Vgs Max

±20V

Terminal Sayısı

2

Power Dissipation Max

1.75W Ta 50W Tc

Pin Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

21nC @ 10V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Avalanche Energy Rating Eas

54 mJ

Turn On Delay Time

8.8 ns

Yüzey Montaj

YES

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Genişlik

6.8mm

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

Element Configuration

Single

Input Capacitance Ciss Max Vds

480pF @ 25V

Terminal

SMD/SMT

Current Continuous Drain Id25

6A Tc

Nominal Vgs

3 V

Rds On Max Id Vgs

700m Ω @ 3A, 10V

Continuous Drain Current Id

6A

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Rise Time

29ns

Voltage Rated Dc

200V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fall Time Typ

20 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fet Type

N-Channel

Drain Currentmax Abs Id

6A

Yayın Yılı

2005

Threshold Voltage

3V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260