MMFT960T1G

Teknik Özellikler

Yükseklik

1.65mm

Gate Charge Qg Max Vgs

3.2nC @ 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e3

Current Continuous Drain Id25

300mA Tc

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Yüzey Montaj

YES

Nominal Vgs

1 V

Yayın Yılı

2006

Fet Type

N-Channel

Case Connection

DRAIN

Drain Currentmax Abs Id

0.3A

Vgs Max

±30V

Pin Sayısı

4

Pin Sayısı

4

Radyasyon Dayanımı

No

Input Capacitance Ciss Max Vds

65pF @ 25V

Terminal Formu

GULL WING

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Kurşunsuz

Lead Free

Rds On Max Id Vgs

1.7 Ω @ 1A, 10V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Reach Svhc

No SVHC

Power Dissipation

800mW

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Genişlik

3.7mm

Uzunluk

6.7mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

300mA

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Vgsth Max Id

3.5V @ 1mA

Number Of Elements

1