MMBF5460LT1G

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Akım Değeri

-10mA

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Yayın Yılı

2006

Voltage Rated Dc

-40V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Terminal Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

40V

Input Capacitance Ciss Max Vds

7pF @ 15V

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Feedback Capmax Crss

2 pF

Montaj

Surface Mount

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz Kodu

yes

Qualification Status

Not Qualified

Operating Mode

DEPLETION MODE

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Current Drain Idss Vds Vgs0

1mA @ 15V

Temel Parça No

MBF5460

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation

200mW

Kurşunsuz

Lead Free

Fet Technology

JUNCTION

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

P-Channel

Voltage Cutoff Vgs Off Id

750mV @ 1μA

Element Configuration

Single

Max Power Dissipation

225mW

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Element Material

SILICON