HUFA76429D3ST-F085

Teknik Özellikler

Continuous Drain Current Id

20A

Rise Time

36ns

Power Dissipation Max

110W Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Direnç

27mOhm

Seri

UltraFET™

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Sayısı

2

Turn On Delay Time

7.7 ns

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2001

Additional Feature

ULTRA-LOW RESISTANCE

Element Configuration

Single

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Gate To Source Voltage Vgs

16V

Rds On Max Id Vgs

23m Ω @ 20A, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

46nC @ 10V

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

29 Weeks

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Weight

260.37mg

Input Capacitance Ciss Max Vds

1480pF @ 25V

Jedec95 Code

TO-252AA

Vgs Max

±16V

Power Dissipation

110W

Terminal Formu

GULL WING

Fall Time Typ

56 ns

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fet Type

N-Channel