HUF76633P3

Teknik Özellikler

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Gate Charge Qg Max Vgs

67nC @ 10V

REACH Uyumluluk Kodu

compliant

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

35m Ω @ 39A, 10V

Ambalaj

Tube

Seri

UltraFET™

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Power Dissipation Max

145W Tc

Yayın Yılı

2002

Additional Feature

ULTRA LOW RESISTANCE

HTS Kodu

8541.29.00.95

Reference Standard

AEC-Q101

Jesd30 Code

R-PSFM-T3

Terminal Sayısı

3

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Current Continuous Drain Id25

39A Tc

Terminal Kaplaması

TIN

ECCN Kodu

EAR99

Drain Currentmax Abs Id

38A

Fet Type

N-Channel

Case Connection

DRAIN

Ds Breakdown Voltagemin

100V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Yüzey Montaj

NO

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

TO-220-3

Transistor Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Through Hole

JESD-609 Kodu

e3

Vgs Max

±16V

Jedec95 Code

TO-220AB