HUF75852G3

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Continuous Drain Id25

75A Tc

Case Connection

DRAIN

Fet Type

N-Channel

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Montaj

Through Hole

Turn Off Delay Time

82 ns

Voltage Rated Dc

150V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Through Hole

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Kurşunsuz

Lead Free

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

TO-247-3

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

74A

Fall Time Typ

107 ns

Power Dissipation

500W

Vgs Max

±20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

7690pF @ 25V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Drain To Source Breakdown Voltage

150V

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Gate Charge Qg Max Vgs

480nC @ 20V

Parça Durumu

Active

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

16m Ω @ 75A, 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Akım

75A

Direnç

16MOhm

Seri

UltraFET™

Ambalaj

Tube

Power Dissipation Max

500W Tc