HUF75345P3

Teknik Özellikler

Gate To Source Voltage Vgs

20V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Direnç

7mOhm

Nominal Vgs

4 V

Rise Time

118ns

Reach Svhc

No SVHC

Uzunluk

10.67mm

Element Configuration

Single

Turn On Delay Time

14 ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Yükseklik

16.3mm

Voltage Rated Dc

55V

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

TO-220-3

Transistor Element Material

SILICON

Drain To Source Breakdown Voltage

55V

Number Of Elements

1

Genişlik

4.7mm

Parça Durumu

Active

Gate Charge Qg Max Vgs

275nC @ 20V

Rds On Max Id Vgs

7m Ω @ 75A, 10V

Seri

UltraFET™

Ambalaj

Tube

Power Dissipation Max

325W Tc

Continuous Drain Current Id

75A

Yayın Yılı

2009

Pin Sayısı

3

Dual Supply Voltage

55V

Terminal Sayısı

3

Current Continuous Drain Id25

75A Tc

Case Connection

DRAIN

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

N-Channel

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE