HUF75332P3

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Power Dissipation Max

145W Tc

Continuous Drain Current Id

60A

Ambalaj

Tube

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Akım Değeri

60A

Current Continuous Drain Id25

60A Tc

Turn On Delay Time

9 ns

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Rds On Max Id Vgs

19m Ω @ 60A, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

85nC @ 20V

Pin Sayısı

3

Voltage Rated Dc

55V

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Weight

1.8g

Montaj

Through Hole

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation

145W

Transistor Element Material

SILICON

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Vgs Max

±20V

Jedec95 Code

TO-220AB

Seri

UltraFET™

Input Capacitance Ciss Max Vds

1300pF @ 25V

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2005

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Elements

1

Fall Time Typ

45 ns

Rise Time

90ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-220-3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE