FQU5N60CTU

Teknik Özellikler

Seri

QFET®

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Weight

343.08mg

Vgs Max

±30V

Akım Değeri

5A

Turn Off Delay Time

38 ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Rds On Max Id Vgs

2.5 Ω @ 1.4A, 10V

Montaj Tipi

Through Hole

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

JESD-609 Kodu

e3

Rise Time

42ns

Fall Time Typ

46 ns

Kurşunsuz

Lead Free

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

Continuous Drain Current Id

2.8A

Element Configuration

Single

Power Dissipation

2.5W

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

19nC @ 10V

Direnç

2.5Ohm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2013

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

670pF @ 25V

Montaj

Through Hole

Voltage Rated Dc

600V

Turn On Delay Time

10 ns

Ambalaj

Tube

Number Of Elements

1