FQU1N60CTU

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Genişlik

2.3mm

Power Dissipation Max

2.5W Ta 28W Tc

Current Continuous Drain Id25

1A Tc

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2013

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Direnç

11.5Ohm

Power Dissipation

2.5W

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

JESD-609 Kodu

e3

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Element Configuration

Single

Yükseklik

6.1mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Turn Off Delay Time

13 ns

Akım Değeri

1A

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Weight

343.08mg

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Seri

QFET®

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Drain Currentmax Abs Id

1A

Threshold Voltage

4V

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

6.2nC @ 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Tube

Number Of Elements

1

Voltage Rated Dc

600V

Turn On Delay Time

7 ns